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多腔室濺射系統ENTRONTM-EX2 W300

各種應用(NVM,Al和銅布線,鈦或氮化鈦阻擋金屬,厚鋁和鈷或鎳自對準硅化物等); 不僅具備Si器件的處理能力,而且還具備化合物半導體、石英器件等的處理能力; 根據集群工具的概念,最多可以配備10個過程模塊; 單獨或平臺共用; 晶片傳輸速度提高了60%,實現了高還原性和低CO2; 出于環保考慮,標準配備了各種節能功能,相比目前型號可以節能30%; 配備了與新一代半導體Fab相配的控制系統;優異的薄膜控制和EES兼容性;高級自動化Fab合規性。


多腔室濺射系統ENTRONTM-EX2 W300

      描述:


      多室濺射系統ENTRONTM-EX2 W300是結合各種工藝的最新平臺。


      適用于新一代可擴展性的高端型號,可滿足客戶高吞吐量和節能需求。ULVAC將以先進的PVD,CVD和ALD模塊等先進技術,滿足客戶的各種需求。


      特性:


      靈活的模塊配置


      PVD和CVD / ALD工藝的集成


      各種應用(NVM,Al和銅布線,鈦或氮化鈦阻擋金屬,厚鋁和鈷或鎳自對準硅化物等)


      不僅具備Si器件的處理能力,而且還具備化合物半導體、石英器件等的處理能力。


      根據集群工具的概念,最多可以配備10個過程模塊


      單獨或平臺共用


      晶片傳輸速度提高了60%,實現了高還原性和低CO2。


      出于環保考慮,標準配備了各種節能功能,相比目前型號可以節能30%。


      配備了與新一代半導體Fab相配的控制系統;優異的薄膜控制和EES兼容性;高級自動化Fab合規性。


      應用:


      先進的半導體存儲器(DRAM和閃存)


      新一代NVM(STT-MRAM,ReRAM,PCRA,CBRAM,FeRAM等)


      先進的邏輯設備


      CMOS圖像傳感器


      產品規格:

參數

ENTRON TM -EX2   W300(串聯)

ENTRON TM -EX2   W300(單獨)

組態

傳輸系統

EFEM,真空傳輸模塊x 2

EFEM,真空傳輸模塊x 1

模塊

L / UL腔室x 2 
  +最多8個過程模塊
  +最多2degas或冷卻模塊

L / ULx 2 
  +最多4個過程模塊
  +最多2degas或冷卻模塊

晶片尺寸

直徑300mm

運輸機器人

雙臂式高速真空機器人x 2

配備了晶片位置調節器

雙臂式高速真空機器人×1

配備了晶片位置調節器

控制系統

FA-PC控制(集群工具控制器)

應用

內存,NVM,邏輯,多層進程

內存,NVM,邏輯,研發,小生產

泵系統

主泵

LL模塊:TMP 
傳輸核心:TMP或低溫泵
處理模塊:TMP +冷肼(用于2 O

低真空泵

低真空干泵,TMP前干泵

處理

濺射系統

濺射/旋轉磁鐵陰極:常規,LTSSISHiCIS,三槍陰極

預清洗

ICP蝕刻,H2退火,CDT

CVD / ALD

FEOL,BEOLNVMCVD / ALD

工藝氣體管線

PVD:最多4
  CVD:最多14

吞吐量

機械吞吐量:160wph(雙轉移)

極限壓力

傳輸模塊:<8.0   x10E -6 Pa 
處理模塊:<3.0 x10E -6 Pa

THK均勻性(* 1

直徑300mm <±5

過程溫度

RT至450oC

電力

50Hz /   60Hz,3相,200V

冷卻水

0.3到0.5MPa,溫度2025oC 
冷卻器:60L / min 氦氣
壓縮機:7L / min x單元
  DRP8L / min x單元

氣體

工藝用氣體:0.1?0.3MPa 
N2吹掃用氣體:0.2?0.7MPa 

DRP N2吹掃用氣體:0.2?0.7MPa

壓縮的壓力

0.5至0.7MPa

節能功能

標配

接地

A級(1級)地線(10歐姆以內)

選配

LTS / SIS   /三槍陰極/ CVD / ALD模塊可選配
  RGAQulee 
  In-Aligner 
  EES
EDPMS(設備工程系統)




 


多腔室濺射系統ENTRONTM-EX2 W300

      描述:


      多室濺射系統ENTRONTM-EX2 W300是結合各種工藝的最新平臺。


      適用于新一代可擴展性的高端型號,可滿足客戶高吞吐量和節能需求。ULVAC將以先進的PVD,CVD和ALD模塊等先進技術,滿足客戶的各種需求。


      特性:


      靈活的模塊配置


      PVD和CVD / ALD工藝的集成


      各種應用(NVM,Al和銅布線,鈦或氮化鈦阻擋金屬,厚鋁和鈷或鎳自對準硅化物等)


      不僅具備Si器件的處理能力,而且還具備化合物半導體、石英器件等的處理能力。


      根據集群工具的概念,最多可以配備10個過程模塊


      單獨或平臺共用


      晶片傳輸速度提高了60%,實現了高還原性和低CO2。


      出于環保考慮,標準配備了各種節能功能,相比目前型號可以節能30%。


      配備了與新一代半導體Fab相配的控制系統;優異的薄膜控制和EES兼容性;高級自動化Fab合規性。


      應用:


      先進的半導體存儲器(DRAM和閃存)


      新一代NVM(STT-MRAM,ReRAM,PCRA,CBRAM,FeRAM等)


      先進的邏輯設備


      CMOS圖像傳感器


      產品規格:

參數

ENTRON TM -EX2   W300(串聯)

ENTRON TM -EX2   W300(單獨)

組態

傳輸系統

EFEM,真空傳輸模塊x 2

EFEM,真空傳輸模塊x 1

模塊

L / UL腔室x 2 
  +最多8個過程模塊
  +最多2degas或冷卻模塊

L / ULx 2 
  +最多4個過程模塊
  +最多2degas或冷卻模塊

晶片尺寸

直徑300mm

運輸機器人

雙臂式高速真空機器人x 2

配備了晶片位置調節器

雙臂式高速真空機器人×1

配備了晶片位置調節器

控制系統

FA-PC控制(集群工具控制器)

應用

內存,NVM,邏輯,多層進程

內存,NVM,邏輯,研發,小生產

泵系統

主泵

LL模塊:TMP 
傳輸核心:TMP或低溫泵
處理模塊:TMP +冷肼(用于2 O

低真空泵

低真空干泵,TMP前干泵

處理

濺射系統

濺射/旋轉磁鐵陰極:常規,LTSSISHiCIS,三槍陰極

預清洗

ICP蝕刻,H2退火,CDT

CVD / ALD

FEOL,BEOLNVMCVD / ALD

工藝氣體管線

PVD:最多4
  CVD:最多14

吞吐量

機械吞吐量:160wph(雙轉移)

極限壓力

傳輸模塊:<8.0   x10E -6 Pa 
處理模塊:<3.0 x10E -6 Pa

THK均勻性(* 1

直徑300mm <±5

過程溫度

RT至450oC

電力

50Hz /   60Hz,3相,200V

冷卻水

0.3到0.5MPa,溫度2025oC 
冷卻器:60L / min 氦氣
壓縮機:7L / min x單元
  DRP8L / min x單元

氣體

工藝用氣體:0.1?0.3MPa 
N2吹掃用氣體:0.2?0.7MPa 

DRP N2吹掃用氣體:0.2?0.7MPa

壓縮的壓力

0.5至0.7MPa

節能功能

標配

接地

A級(1級)地線(10歐姆以內)

選配

LTS / SIS   /三槍陰極/ CVD / ALD模塊可選配
  RGAQulee 
  In-Aligner 
  EES
EDPMS(設備工程系統)




 

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