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負載鎖定式等離子CVD系統CC-200/400

27.12MHz的高密度等離子體工藝; 支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉積; 通過CF4 + O2等離子體維持腔室清潔; 支持用于有機EL低溫沉積的加熱器; 支持各種基材尺寸; C系列中間接順序處理的真空啟用盒(濺射:CS-200,蒸發:CV-200)。


負載鎖定式等離子CVD系統CC-200/400

      描述:


      CC-200/400是一款緊湊且易于使用的研發和生產系統。


      特性:


      27.12MHz的高密度等離子體工藝


      支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉積。


      通過CF4 + O2等離子體維持腔室清潔。


      支持用于有機EL低溫沉積的加熱器。


      支持各種基材尺寸。


      C系列中間接順序處理的真空啟用盒(濺射:CS-200,蒸發:CV-200)。


      應用:


      電源設備


      LED,LD和高速器件的化合物相關器件


      研發用有機EL系統


      研發用太陽能電池系統


      微機電系統(MEMS)



 


負載鎖定式等離子CVD系統CC-200/400

      描述:


      CC-200/400是一款緊湊且易于使用的研發和生產系統。


      特性:


      27.12MHz的高密度等離子體工藝


      支持SiH4(SiO2,SiNx,SiON,a-Si)和TEOS(SiO2)的沉積。


      通過CF4 + O2等離子體維持腔室清潔。


      支持用于有機EL低溫沉積的加熱器。


      支持各種基材尺寸。


      C系列中間接順序處理的真空啟用盒(濺射:CS-200,蒸發:CV-200)。


      應用:


      電源設備


      LED,LD和高速器件的化合物相關器件


      研發用有機EL系統


      研發用太陽能電池系統


      微機電系統(MEMS)



 

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